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电子学系两篇论文入选2020年度中国电子学会优秀博士学位论文

发布时间:2021-03-03

信息来源:电子学系

近日,中国电子学会2020年度优秀博士学位论文评选结果揭晓,北京大学电子学系2篇论文入选,分别是:2020届博士生刘力俊的论文《高性能碳纳米管CMOS器件和集成电路》(指导教师:张志勇教授,纳米器件物理与化学教育部重点实验室)和2020届博士生尹雪帆的论文《基于拓扑荷的光子晶体辐射调控研究》(指导教师:李正斌教授,区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室)。此前,以上2篇论文均获评北京大学优秀博士学位论文。

中国电子学会自2016年起设立优秀博士学位论文奖,旨在充分发挥学会发现人才、培养人才、举荐人才的作用,推动电子信息领域的技术进步与创新,促进青年人才成长。本奖项每年评选一次,每次评选优秀博士论文不超过参评论文总数的20%。本次评选,中国电子学会共收到168篇会员的博士论文,经专家评审和公示,共30篇论文入选。其中,北京大学、清华大学和北京交通大学各有3篇论文入选,入选数量并列第一。

刘力俊,国家奖学金、校长奖学金、五四奖学、北京市和北京大学优秀毕业生获得者,博士期间学术成果丰硕,以第一作者发表SCI论文5篇,包括Science, ACS Nano, Nano Research, Nanoscale,中国科学G刊。刘力俊同学的博士学位论文在一系列纳米电子学领域内的关键问题上取得突破和进展,包括碳纳米管高密高纯阵列材料方面的突破,展示出基于这种碳管材料的高达8GHz速度的集成电路,同时演示了将高速CMOS碳纳米管集成电路用于无线传感器接口系统的功能。

刘力俊

尹雪帆,五四奖学、北京市优秀毕业生获得者,博士期间研究成果丰硕,发表SCI论文数篇,其中,以第一作者身份在期刊Nature及Physical Review B分别发表论文各1篇,以第二作者身份在期刊Nature上发表论文一篇。尹雪帆同学的博士学位论文结合理论研究与具体实验,从拓扑学角度出发,聚焦于非厄米光子晶体能带特殊几何性质,对非厄米光子晶体的光辐射展开了具体研究。该论文成功将拓扑光子学原理运用于实际光子器件研究,为具有特殊辐射特性的非厄米光子晶体设计与应用提供了理论支持和重要参考,也为实现片上光子辐射调控开拓了新方向,在集成光子技术、低功耗激光器等领域具有重要应用前景。

尹雪帆

部分信息来自中国电子学会网站,https://www.cie-info.org.cn/site/content/4060.html


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