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电子学系两项成果入选2020年度中国半导体十大研究进展

发布时间:2021-02-10

信息来源:电子学系

围绕新材料、新结构、新集成与新机理的半导体基础研究推动了半导体科技的发展,深刻改变着人类的生活形态。近年来,我国在半导体科技领域取得了举世瞩目的成就,智能处理芯片、碳基芯片、光通信芯片、新型场效应管等关键核心技术取得突破性进展,有力支撑了我国新一代信息技术的发展。

《半导体学报》于2020年1月启动首届 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作,旨在记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。经过专家推荐与自荐、两轮严格评选,按照投票排名,最终选出十项优秀成果,荣膺“2020年度中国半导体十大研究进展”,北京大学共四项成果入选,其中包括电子学系两项成果。

一、用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列

电子学系张志勇-彭练矛团队发展了高密度高纯半导体碳纳米管阵列薄膜晶圆制备技术,首次突破了超大规模碳管集成电路发展的材料瓶颈。基于该材料,首次展示了性能超过相同尺寸的硅基CMOS电路的碳纳米管集成电路。该成果发表于《科学》杂志(Science, 2020, 368(6493): 850–856)。

碳管高速集成电路

二、 拓扑保护的单向导模共振态观测

面向超大容量光互连需求,电子学系彭超副教授团队与合作者从拓扑视角出发,在光子晶体中构造了单向辐射导模共振态,实现了不依靠反射镜的光定向辐射。该技术有望显著降低片上光端口的插损,为高密度光子集成及光子芯片开拓新方向。该成果发表于《自然》杂志(Nature, 2020, 580: 467–471)。

a,动量空间中上下表面远场辐射的傅里叶散射图像。b,傅里叶图像上不同kx点处随波长变化的散射谱。c,d,随kx变化的能带以及下表面单面品质因子。在UGR态附近,下表面单面品质因子高达1.6e5。


文章来源:“半导体学报”公众号。

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